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BSS84
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T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 1 Max Power Dissipation vs. Ambient Temperature
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-0.6
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V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Drain-Source Current vs. Drain-Source Voltage
10
9
8
7
6
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3
2
T A = 125 ° C
1
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-1
T A = 25 ° C
-2 -3 -4 -5
15
12
9
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V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 3 Drain-Current vs. Gate-Source Voltage
V GS = -10V
I D = -0.13A
25.0
20.0
15.0
10.0
5.0
V GS , GATE-SOURCE (V)
Fig. 4 On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
0
-50
-25 0
25 50 75 100 125
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0.0
-0.2
-0.4 -0.6
-0.8
-1.0
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance vs. Junction Temperature
I D , DRAIN-CURRENT (A)
Fig. 6 On-Resistance vs. Drain-Current
BSS84
Document number: DS30149 Rev. 20 - 2
3 of 5
www.diodes.com
August 2013
? Diodes Incorporated
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BSS84AK-BR 功能描述:MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 零件状态:停產 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.35nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:36pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.14W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 欧姆 @ 100mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:3,000
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